STMicroelectronics STL8N10LF3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Серия
STripFET F3
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
50mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
20.5nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.2 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.15мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Серия
STripFET F3
Корпус
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
50mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
20.5nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
5.2 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.15мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.