STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL8N10LF3

Код товара RS: 907-4744PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL8N10LF3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL8N10LF3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL8N10LF3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics