STMicroelectronics STL60P4LLF6 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
19mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
100W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
34nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.4 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
40V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
19mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
100W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
34nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.4 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.