STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

Код товара RS: 786-3741PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL60N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

16.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

25nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.35 mm

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

5.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

16.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

25nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.35 mm

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

5.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics