STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5

Код товара RS: 792-5903Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL4N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.95мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 950,20

тг 590,04 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5
Select packaging type

тг 2 950,20

тг 590,04 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 20тг 590,04тг 2 950,20
25 - 95тг 455,94тг 2 279,70
100 - 245тг 371,01тг 1 855,05
250+тг 366,54тг 1 832,70

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.4мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.95мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics