STMicroelectronics STL42P6LLF6 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
42 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 4,5 В
Высота
0.95мм
Серия
STripFET
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
42 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 4,5 В
Высота
0.95мм
Серия
STripFET
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.