STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV STL3NM60N
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV
Серия
MDmesh II
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.5Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
9.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
22W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV
Серия
MDmesh II
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.5Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
9.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
22W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Malaysia