Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
30A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
35mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
14nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.4 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 045,35
тг 809,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 045,35
тг 809,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
30A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
35mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
14nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.4 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.35мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
