STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL30N10F7

Код товара RS: 792-5892Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL30N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

5.4 mm

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

6.35мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 045,35

тг 809,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL30N10F7
Select packaging type

тг 4 045,35

тг 809,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL30N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

35mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Прямое напряжение (Vf)

1.1V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

5.4 mm

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

6.35мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics