STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

Код товара RS: 192-4658Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL26N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

15A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

215mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

24nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

8.1 mm

Длина

8.1мм

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

15A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

215mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

24nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

8.1 mm

Длина

8.1мм

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China