STMicroelectronics STripFET F7 Type N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL140N6F7

Код товара RS: 907-4766Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL140N6F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

140A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Серия

STripFET F7

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

55nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

6.15мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.2 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET F7 Type N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL140N6F7
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET F7 Type N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL140N6F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

140A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Серия

STripFET F7

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

55nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Длина

6.15мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.2 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics