STMicroelectronics STL140N6F7 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
140A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.2 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
140A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
PowerFLAT
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
55nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.2 mm
Материал каски/сварочной маски
0.95мм
Длина
6.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.