N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT STMicroelectronics STL140N4F7AG
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
111 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
STripFET F7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
111 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.