STMicroelectronics STL110N10F7 MOSFET

Код товара RS: 786-3726Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL110N10F7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 263,75

тг 1 452,75 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STL110N10F7 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 263,75
10тг 14 527,50
15тг 21 791,25
20тг 29 055,00
25тг 36 318,75
30тг 43 582,50
35тг 50 846,25
40тг 58 110,00
45тг 65 373,75
50тг 60 568,50
55тг 66 625,35
60тг 72 682,20
65тг 78 739,05
70тг 84 795,90
75тг 90 852,75

тг 7 263,75

тг 1 452,75 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STL110N10F7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 263,75
10тг 14 527,50
15тг 21 791,25
20тг 29 055,00
25тг 36 318,75
30тг 43 582,50
35тг 50 846,25
40тг 58 110,00
45тг 65 373,75
50тг 60 568,50
55тг 66 625,35
60тг 72 682,20
65тг 78 739,05
70тг 84 795,90
75тг 90 852,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 45тг 1 452,75тг 7 263,75
50 - 245тг 1 211,37тг 6 056,85
250 - 495тг 965,52тг 4 827,60
500 - 2995тг 670,50тг 3 352,50
3000+тг 621,33тг 3 106,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics