STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL10N60M6

Код товара RS: 192-4825Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL10N60M6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5.5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

660mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8.8nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

48W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5 mm

Длина

6мм

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL10N60M6
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL10N60M6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5.5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

660mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8.8nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

48W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5 mm

Длина

6мм

Материал каски/сварочной маски

0.95мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China