N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics STI40N65M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
32 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
56,5 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
9.35мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 2 315,46
тг 2 315,46 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 315,46
тг 2 315,46 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 2 315,46 |
| 25 - 249 | тг 1 855,05 |
| 250 - 499 | тг 1 801,41 |
| 500 - 999 | тг 1 193,49 |
| 1000+ | тг 1 135,38 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
32 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
56,5 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Прямое напряжение диода
1.6V
Высота
9.35мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).