Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1500V
Серия
MDmesh
Корпус
H2PAK
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
9Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
29.3nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
140W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
15.8 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 5 176,26
тг 2 588,13 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 5 176,26
тг 2 588,13 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 24 | тг 2 588,13 | тг 5 176,26 |
| 26 - 98 | тг 2 123,25 | тг 4 246,50 |
| 100 - 248 | тг 1 913,16 | тг 3 826,32 |
| 250 - 998 | тг 1 761,18 | тг 3 522,36 |
| 1000+ | тг 1 394,64 | тг 2 789,28 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2.5A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1500V
Серия
MDmesh
Корпус
H2PAK
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
9Ом
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
29.3nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
140W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
15.8 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
