Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
H2PAK-2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
15.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29,3 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.8мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
H2PAK-2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
15.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29,3 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.8мм
Информация о товаре