STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2

Код товара RS: 792-5861PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH3N150-2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

15.8мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

15.8мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics