N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2

Код товара RS: 792-5861Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH3N150-2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29,3 нКл при 10 В

Ширина

15.8мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 588,13

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 5 176,26
4тг 10 352,52
6тг 15 528,78
8тг 20 705,04
10тг 25 881,30
12тг 31 057,56
14тг 36 233,82
16тг 41 410,08
18тг 46 586,34
20тг 51 762,60
22тг 56 938,86
24тг 62 115,12
26тг 55 204,50
28тг 59 451,00
30тг 63 697,50

тг 2 588,13

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 5 176,26
4тг 10 352,52
6тг 15 528,78
8тг 20 705,04
10тг 25 881,30
12тг 31 057,56
14тг 36 233,82
16тг 41 410,08
18тг 46 586,34
20тг 51 762,60
22тг 56 938,86
24тг 62 115,12
26тг 55 204,50
28тг 59 451,00
30тг 63 697,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 24тг 2 588,13тг 5 176,26
26 - 98тг 2 123,25тг 4 246,50
100 - 248тг 1 913,16тг 3 826,32
250 - 998тг 1 761,18тг 3 522,36
1000+тг 1 394,64тг 2 789,28

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29,3 нКл при 10 В

Ширина

15.8мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics