Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
397A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
H2PAK-2
Серия
STH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.2mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
230nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
341W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
9.3мм
Материал каски/сварочной маски
4.7мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
N-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
397A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
H2PAK-2
Серия
STH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
1.2mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
230nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
341W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
9.3мм
Материал каски/сварочной маски
4.7мм
Страна происхождения
China
