STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

Код товара RS: 719-651Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH345N6F7-2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

397A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

H2PAK-2

Серия

STH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

2

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.2mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

230nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

341W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

9.3мм

Материал каски/сварочной маски

4.7мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

N-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

397A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

H2PAK-2

Серия

STH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

2

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.2mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

230nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

341W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

9.3мм

Материал каски/сварочной маски

4.7мм

Страна происхождения

China