STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2

Код товара RS: 786-3707Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH310N10F7-2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 738,20

тг 2 369,10 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 738,20
4тг 9 476,40
6тг 14 214,60
8тг 18 952,80
10тг 23 691,00
12тг 28 429,20
14тг 33 167,40
16тг 37 905,60
18тг 42 643,80
20тг 47 382,00
22тг 52 120,20
24тг 56 858,40
26тг 61 596,60
28тг 66 334,80
30тг 71 073,00

тг 4 738,20

тг 2 369,10 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 738,20
4тг 9 476,40
6тг 14 214,60
8тг 18 952,80
10тг 23 691,00
12тг 28 429,20
14тг 33 167,40
16тг 37 905,60
18тг 42 643,80
20тг 47 382,00
22тг 52 120,20
24тг 56 858,40
26тг 61 596,60
28тг 66 334,80
30тг 71 073,00

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 2 369,10тг 4 738,20
50 - 248тг 1 939,98тг 3 879,96
250 - 498тг 1 613,67тг 3 227,34
500 - 998тг 1 345,47тг 2 690,94
1000+тг 1 251,60тг 2 503,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2.3mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

315W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

180nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

15.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics