STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2

Brand

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

180A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK-2

Серия

STH200

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

4mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

93nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

340W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет