Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
180A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
H2PAK-2
Серия
STH200
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
4mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
93nC
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
340W
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
180A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Корпус
H2PAK-2
Серия
STH200
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
4mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
93nC
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
340W
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
