STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2

Код товара RS: 860-7523Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH150N10F7-2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.9mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

117nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.57 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 610,48

тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 610,48
4тг 5 220,96
6тг 7 831,44
8тг 10 441,92
10тг 13 052,40
12тг 15 662,88
14тг 18 273,36
16тг 20 883,84
18тг 23 494,32
20тг 21 277,20
22тг 23 404,92
24тг 25 532,64
26тг 27 660,36
28тг 29 788,08
30тг 31 915,80

тг 2 610,48

тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 610,48
4тг 5 220,96
6тг 7 831,44
8тг 10 441,92
10тг 13 052,40
12тг 15 662,88
14тг 18 273,36
16тг 20 883,84
18тг 23 494,32
20тг 21 277,20
22тг 23 404,92
24тг 25 532,64
26тг 27 660,36
28тг 29 788,08
30тг 31 915,80

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 305,24тг 2 610,48
20 - 48тг 1 063,86тг 2 127,72
50 - 98тг 1 045,98тг 2 091,96
100 - 248тг 929,76тг 1 859,52
250+тг 858,24тг 1 716,48

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.9mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

117nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.57 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics