STMicroelectronics STH150N10F7-2 MOSFET

Код товара RS: 168-8819Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH150N10F7-2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.9mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

117nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.57 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STH150N10F7-2 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STH150N10F7-2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.9mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

117nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.57 mm

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics