STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2

Код товара RS: 860-7523Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH150N10F7-2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

H²PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

117 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

10.57мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 2 610,48

тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 610,48
4тг 5 220,96
6тг 7 831,44
8тг 10 441,92
10тг 13 052,40
12тг 15 662,88
14тг 18 273,36
16тг 20 883,84
18тг 23 494,32
20тг 21 277,20
22тг 23 404,92
24тг 25 532,64
26тг 27 660,36
28тг 29 788,08
30тг 31 915,80

тг 2 610,48

тг 1 305,24 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 610,48
4тг 5 220,96
6тг 7 831,44
8тг 10 441,92
10тг 13 052,40
12тг 15 662,88
14тг 18 273,36
16тг 20 883,84
18тг 23 494,32
20тг 21 277,20
22тг 23 404,92
24тг 25 532,64
26тг 27 660,36
28тг 29 788,08
30тг 31 915,80

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 305,24тг 2 610,48
20 - 48тг 1 063,86тг 2 127,72
50 - 98тг 1 045,98тг 2 091,96
100 - 248тг 929,76тг 1 859,52
250+тг 858,24тг 1 716,48

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

H²PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

117 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

10.57мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics