N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH150N10F7-2

Код товара RS: 860-7523Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH150N10F7-2
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

117 нКл при 10 В

Ширина

10.57мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH150N10F7-2
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH150N10F7-2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
2 - 18P.O.A.
20 - 48P.O.A.
50 - 98P.O.A.
100 - 248P.O.A.
250+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

117 нКл при 10 В

Ширина

10.57мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.8мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics