STMicroelectronics STH150N10F7-2 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

10.57мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

117 нКл при 10 В

Высота

4.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China