STMicroelectronics STGWT80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Код товара RS: 829-7136Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWT80H65DFB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

469W

Корпус

TO-3P

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

HB

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)
Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 248,41

тг 2 248,41 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGWT80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 248,41
2тг 4 496,82
3тг 6 745,23
4тг 8 993,64
5тг 11 242,05
6тг 13 490,46
7тг 15 738,87
8тг 17 987,28
9тг 20 235,69
10тг 22 484,10
11тг 24 732,51
12тг 26 980,92
13тг 29 229,33
14тг 31 477,74
15тг 33 726,15

тг 2 248,41

тг 2 248,41 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGWT80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 248,41
2тг 4 496,82
3тг 6 745,23
4тг 8 993,64
5тг 11 242,05
6тг 13 490,46
7тг 15 738,87
8тг 17 987,28
9тг 20 235,69
10тг 22 484,10
11тг 24 732,51
12тг 26 980,92
13тг 29 229,33
14тг 31 477,74
15тг 33 726,15

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 248,41
25 - 99тг 1 805,88
100 - 249тг 1 752,24
250 - 499тг 1 720,95
500+тг 1 685,19
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

469W

Корпус

TO-3P

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

HB

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)