STMicroelectronics STGWT60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Brand

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

375W

Корпус

TO-3P

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

HB

Автомобильный стандарт

Нет