Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
80A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Серия
HB
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 421,46
тг 1 421,46 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 421,46
тг 1 421,46 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 421,46 |
| 25 - 99 | тг 1 260,54 |
| 100 - 249 | тг 1 238,19 |
| 250 - 499 | тг 1 215,84 |
| 500+ | тг 1 184,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
80A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Серия
HB
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
