STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, N-Channel Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Brand

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

119A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Количество транзисторов

1

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

576W

Корпус

TO-247

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

20.1мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

15.9 mm

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China