Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
119A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
576W
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-247
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
20.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
15.9 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
119A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
576W
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-247
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
20.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
15.9 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
