Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
60A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
108W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
4
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.05V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
21.1 mm
Серия
STG
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
60A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
108W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
4
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.05V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
21.1 mm
Серия
STG
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
