Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
260W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Стандарты/одобрения
Rohs
Ширина
21.1 mm
Серия
STG
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
260W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
5.1мм
Стандарты/одобрения
Rohs
Ширина
21.1 mm
Серия
STG
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.
