Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
120A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
469W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Длина
15.75мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 887,62
тг 2 887,62 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 887,62
тг 2 887,62 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 2 887,62 |
| 25 - 99 | тг 2 369,10 |
| 100 - 249 | тг 2 136,66 |
| 250 - 499 | тг 1 971,27 |
| 500+ | тг 1 792,47 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
120A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
469W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Длина
15.75мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
