Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
220W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±25 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.75V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
14.8мм
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC JESD97
Ширина
15.75 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 227,34
тг 1 613,67 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 3 227,34
тг 1 613,67 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 613,67 | тг 3 227,34 |
| 10 - 98 | тг 1 296,30 | тг 2 592,60 |
| 100 - 248 | тг 1 153,26 | тг 2 306,52 |
| 250 - 998 | тг 1 068,33 | тг 2 136,66 |
| 1000+ | тг 804,60 | тг 1 609,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
220W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±25 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.75V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
14.8мм
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JEDEC JESD97
Ширина
15.75 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
