STMicroelectronics STGW20H60DF, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 792-5798Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW20H60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

40A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

167W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

Trench Gate Field Stop

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 476,38

тг 1 238,19 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW20H60DF, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 476,38
4тг 4 952,76
6тг 7 429,14
8тг 9 905,52
10тг 12 381,90
12тг 14 858,28
14тг 17 334,66
16тг 19 811,04
18тг 22 287,42
20тг 24 763,80
22тг 27 240,18
24тг 29 716,56
26тг 28 822,56
28тг 31 039,68
30тг 33 256,80

тг 2 476,38

тг 1 238,19 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW20H60DF, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 476,38
4тг 4 952,76
6тг 7 429,14
8тг 9 905,52
10тг 12 381,90
12тг 14 858,28
14тг 17 334,66
16тг 19 811,04
18тг 22 287,42
20тг 24 763,80
22тг 27 240,18
24тг 29 716,56
26тг 28 822,56
28тг 31 039,68
30тг 33 256,80

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 24тг 1 238,19тг 2 476,38
26 - 98тг 1 108,56тг 2 217,12
100 - 248тг 907,41тг 1 814,82
250 - 498тг 822,48тг 1 644,96
500+тг 710,73тг 1 421,46

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

40A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

167W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

Trench Gate Field Stop

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.