Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
83 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
HB Series
Тип корпуса
ACEPACK SMIT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
9
Номер канала
Опускание
Количество элементов на ИС
2
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
200
P.O.A.
Dual P-Channel MOSFET, 83 A, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Информация о наличии не успела загрузиться
200
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
83 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
HB Series
Тип корпуса
ACEPACK SMIT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
9
Номер канала
Опускание
Количество элементов на ИС
2
Страна происхождения
China