Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
216A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
714W
Количество транзисторов
2
Корпус
ECOPACK
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
NPN
Число контактов
9
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.05V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
4мм
Материал каски/сварочной маски
5.5мм
Стандарты/одобрения
UL1557
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
216A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
714W
Количество транзисторов
2
Корпус
ECOPACK
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
NPN
Число контактов
9
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.05V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
4мм
Материал каски/сварочной маски
5.5мм
Стандарты/одобрения
UL1557
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
