Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
88W
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Номинальная энергия
221mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
88W
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Номинальная энергия
221mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре