STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Код товара RS: 686-8376Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGP10NC60KD
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

20A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBTБренд: STMicroelectronics
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 212,65

тг 442,53 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 212,65
10тг 4 425,30
15тг 6 637,95
20тг 8 850,60
25тг 8 716,50
30тг 10 459,80
35тг 12 203,10
40тг 13 946,40
45тг 15 689,70
50тг 17 209,50
55тг 18 930,45
60тг 20 651,40
65тг 22 372,35
70тг 24 093,30
75тг 25 814,25

тг 2 212,65

тг 442,53 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 212,65
10тг 4 425,30
15тг 6 637,95
20тг 8 850,60
25тг 8 716,50
30тг 10 459,80
35тг 12 203,10
40тг 13 946,40
45тг 15 689,70
50тг 17 209,50
55тг 18 930,45
60тг 20 651,40
65тг 22 372,35
70тг 24 093,30
75тг 25 814,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 442,53тг 2 212,65
25 - 45тг 348,66тг 1 743,30
50 - 95тг 344,19тг 1 720,95
100 - 245тг 277,14тг 1 385,70
250+тг 272,67тг 1 363,35
Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBTБренд: STMicroelectronics
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

20A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT
STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBTБренд: STMicroelectronics
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)