IGBT 30A (@100C) 600V TRENCH GAT

Код товара RS: 792-5779Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGFW30V60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Тип продукции

Транзистор с запираемым затвором IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

TO-3PF

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.7мм

Материал каски/сварочной маски

26.7мм

Стандарты/одобрения

ECOPACK

Серия

V

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 066,42

тг 1 533,21 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

IGBT 30A (@100C) 600V TRENCH GAT
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 066,42
4тг 6 132,84
6тг 9 199,26
8тг 12 265,68
10тг 15 332,10
12тг 18 398,52
14тг 21 464,94
16тг 24 531,36
18тг 27 597,78
20тг 30 664,20
22тг 33 730,62
24тг 36 797,04
26тг 33 820,02
28тг 36 421,56
30тг 39 023,10

тг 3 066,42

тг 1 533,21 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

IGBT 30A (@100C) 600V TRENCH GAT

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 066,42
4тг 6 132,84
6тг 9 199,26
8тг 12 265,68
10тг 15 332,10
12тг 18 398,52
14тг 21 464,94
16тг 24 531,36
18тг 27 597,78
20тг 30 664,20
22тг 33 730,62
24тг 36 797,04
26тг 33 820,02
28тг 36 421,56
30тг 39 023,10

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 24тг 1 533,21тг 3 066,42
26 - 98тг 1 300,77тг 2 601,54
100 - 248тг 1 121,97тг 2 243,94
250 - 498тг 1 010,22тг 2 020,44
500+тг 907,41тг 1 814,82

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Тип продукции

Транзистор с запираемым затвором IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

TO-3PF

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.7мм

Материал каски/сварочной маски

26.7мм

Стандарты/одобрения

ECOPACK

Серия

V

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.