Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
7A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
56W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Стандарты/одобрения
JEDEC JESD97
Серия
Powermesh
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 525,55
тг 505,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 525,55
тг 505,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 5 | тг 505,11 | тг 2 525,55 |
| 10 - 95 | тг 388,89 | тг 1 944,45 |
| 100 - 495 | тг 312,90 | тг 1 564,50 |
| 500 - 995 | тг 286,08 | тг 1 430,40 |
| 1000+ | тг 219,03 | тг 1 095,15 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
7A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
56W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
16.4мм
Стандарты/одобрения
JEDEC JESD97
Серия
Powermesh
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
