STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Код товара RS: 795-7142Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGF10NC60KD
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

9A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Low Drop

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 978,30

тг 397,83 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 978,30
20тг 7 956,60
30тг 11 666,70
40тг 15 555,60
50тг 19 444,50
60тг 23 333,40
70тг 27 222,30
80тг 31 111,20
90тг 35 000,10
100тг 31 737,00
110тг 34 910,70
120тг 38 084,40
130тг 41 258,10
140тг 44 431,80
150тг 47 605,50

тг 3 978,30

тг 397,83 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 978,30
20тг 7 956,60
30тг 11 666,70
40тг 15 555,60
50тг 19 444,50
60тг 23 333,40
70тг 27 222,30
80тг 31 111,20
90тг 35 000,10
100тг 31 737,00
110тг 34 910,70
120тг 38 084,40
130тг 41 258,10
140тг 44 431,80
150тг 47 605,50

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 20тг 397,83тг 3 978,30
30 - 90тг 388,89тг 3 888,90
100 - 240тг 317,37тг 3 173,70
250 - 990тг 308,43тг 3 084,30
1000+тг 219,03тг 2 190,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

9A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

16.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Low Drop

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.