Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
29A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
3.8μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.75V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Длина
30.6мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
Low Drop
Номинальная энергия
8mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
10
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
29A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
3.8μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.75V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Длина
30.6мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
Low Drop
Номинальная энергия
8mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре