Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
29A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
3.8μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.75V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Длина
30.6мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
Low Drop
Номинальная энергия
8mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 5 945,10
тг 594,51 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 5 945,10
тг 594,51 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 594,51 | тг 5 945,10 |
| 50 - 240 | тг 478,29 | тг 4 782,90 |
| 250 - 490 | тг 415,71 | тг 4 157,10 |
| 500 - 990 | тг 379,95 | тг 3 799,50 |
| 1000+ | тг 295,02 | тг 2 950,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
29A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
80W
Корпус
TO-220FP
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
3.8μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.75V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Длина
30.6мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
Low Drop
Номинальная энергия
8mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
