Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
200A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
600W
Корпус
ISOTOP
Тип монтажа
Зажим
Тип канала
Тип N
Число контактов
4
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.6V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
38.2мм
Материал каски/сварочной маски
12.2мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JESD97
Ширина
31.7мм
Серия
Powermesh
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
200A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
600W
Корпус
ISOTOP
Тип монтажа
Зажим
Тип канала
Тип N
Число контактов
4
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.6V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
38.2мм
Материал каски/сварочной маски
12.2мм
Стандарты/одобрения
ECOPACK, JESD97
Ширина
31.7мм
Серия
Powermesh
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
