Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Тип продукции
Транзистор с запираемым затвором IGBT
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
88W
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
H
Номинальная энергия
221mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Тип продукции
Транзистор с запираемым затвором IGBT
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
88W
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
H
Номинальная энергия
221mJ
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре