STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Код товара RS: 906-2798Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD5H60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

10A

Тип продукции

Транзистор с запираемым затвором IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

88W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.95V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

H

Номинальная энергия

221mJ

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

10A

Тип продукции

Транзистор с запираемым затвором IGBT

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

88W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.95V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

6.2 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

H

Номинальная энергия

221mJ

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.