STMicroelectronics STGB8NC60KDT4 IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 686-8344Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB8NC60KDT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать

тг 2 100,90

тг 420,18 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB8NC60KDT4 IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 100,90
10тг 4 201,80
15тг 6 302,70
20тг 8 403,60
25тг 9 498,75
30тг 11 398,50
35тг 13 298,25
40тг 15 198,00
45тг 17 097,75
50тг 18 550,50
55тг 20 405,55
60тг 22 260,60
65тг 24 115,65
70тг 25 970,70
75тг 27 825,75

тг 2 100,90

тг 420,18 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB8NC60KDT4 IGBT, 15 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 100,90
10тг 4 201,80
15тг 6 302,70
20тг 8 403,60
25тг 9 498,75
30тг 11 398,50
35тг 13 298,25
40тг 15 198,00
45тг 17 097,75
50тг 18 550,50
55тг 20 405,55
60тг 22 260,60
65тг 24 115,65
70тг 25 970,70
75тг 27 825,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 420,18тг 2 100,90
25 - 45тг 379,95тг 1 899,75
50 - 95тг 371,01тг 1 855,05
100 - 245тг 295,02тг 1 475,10
250+тг 254,79тг 1 273,95
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать