Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
25A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
450V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
8.4μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.55V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Ширина
9.35 mm
Серия
Automotive Grade
Номинальная энергия
300mJ
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
This application-specific IGBT utilizes the most Advanced PowerMESH™ technology optimized for Coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
25A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
450V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
8.4μs
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.55V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Ширина
9.35 mm
Серия
Automotive Grade
Номинальная энергия
300mJ
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
This application-specific IGBT utilizes the most Advanced PowerMESH™ technology optimized for Coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required
