STMicroelectronics STGB10NC60HDT4, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

Код товара RS: 795-7041Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB10NC60HDT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

20A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

65W

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60HDT4, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60HDT4, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 518,52тг 2 592,60
25 - 95тг 397,83тг 1 989,15
100 - 245тг 326,31тг 1 631,55
250 - 995тг 317,37тг 1 586,85
1000+тг 223,50тг 1 117,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

20A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

65W

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать